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首页 产品中心 探测器系列 1-16µm HgCdTe红外探测器 探测器及模块-Slected line页面 2
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PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90

2–12µm探测范围,HgCdTe非制冷(室温),光伏多结探测器

PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷光伏多结红外探测器,具备很好的稳定性。该材料经过优化,可在10.6µm时实现最佳性能,大光敏面检测器尤其适用于检测CW和低频调制辐射。

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PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36

3.0–6.7µm,HgCdTe二级热电冷却,光学浸没光伏探测器

PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的二级热电冷却红外光电探测器,具备很好的性能和稳定性。该材料经过优化,可在6µm时实现最佳性能,用高半球GaAs微透镜来提高探测能力,反向偏置可显著增加响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌(wZnSeAR)防反射涂层窗口防止不必要的干扰效应。

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PVI-5-1×1-TO39-NW-36

2.4 – 5.5 µm探测范围,HgCdTe非制冷,光学浸没光伏探测器

PVI-5×1-TO39-NW-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器,性能和稳定性。该材料经过优化,可在5µm时实现最优性能。用高半球GaAs微透镜来提高探测性能,反向偏置可能显著增加响应速度和动态范围。

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PVI-4-1×1-TO39-NW-36

2.4–4.5µm探测范围,HgCdTe非制冷,光学浸没光伏探测器

PVI-4-1×1-TO39-NW-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器,具备很好的稳定性。该材料经过优化,可在4µm时实现最佳性能,同时用高半球GaAs微透镜来提高探测能力,反向偏置可显著增加响应速度和动态范围。

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