nanoplus InGaAsSb 光电二极管

nanoplus 最新推出的InGaAsSb(锑砷化铟镓)光电二极管,以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料,相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内,峰值波长为1880nm,采用TO5封装,有效面积为Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm,具有响应速度快、灵敏度高等特点,非常适合用于高灵敏度气体分析、过程控制和环境监测等领域。

主要特点

  • 波长范围1000nm-2600nm
  • Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm有效面积
  • 采用TO5封装,带或不带制冷器

应用服务

  • 高灵敏度气体分析
  • 过程控制、环境监测
  • 各种分析仪器等

技术参数

nanoplus InGaAsSb(锑砷化铟镓) 光电二极管主要参数特性:

主要参数特性 (T = 25 °C) 符号 单位 标准
Spectral response range I nm 1000-2600
Peak sensitivity wavelength Ip nm 1880
Peak responsivity Rp A/W 0.66
Dark current without bias ID nA 95
Junction capacitance CJ pF 41
Shunt resistance Rsh Ω 17