首页 产品中心 探测器系列 1-2.6μm光电二极管
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nanoplus InGaAsSb 光电二极管

nanoplus 最新推出的InGaAsSb(锑砷化铟镓)光电二极管,以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料,相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内,峰值波长为1880nm,采用TO5封装,有效面积为Ø1mm,Ø2mm…

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