1-2.6μm光电二极管

Nanoplus InGaAsSb 光电二极管

发布时间:2015-09-27 【 收藏此页 】 【 打印此页 】 【 关闭 】

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Nanoplus InGaAsSb 光电二极管

Nanoplus 最新推出的InGaAsSb(锑砷化铟镓)光电二极管,以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料,相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内,峰值波长为1880nm,采用TO5封装,有效面积为Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm,具有响应速度快、灵敏度高等特点,非常适合用于高灵敏度气体分析、过程控制和环境监测等领域。

  • 主要特点
  • 应用服务
  • 技术参数
  • -选项四-
  • -选项五-
  • 主要特点:
    • 波长范围1000nm-2600nm
    • Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm有效面积
    • 采用TO5封装,带或不带制冷器
  • 应用服务:
    • 高灵敏度气体分析
    • 过程控制、环境监测
    • 各种分析仪器等
  • Nanoplus InGaAsSb(锑砷化铟镓) 光电二极管主要参数特性:
    主要参数特性 (T = 25 °C) 符号 单位 标准
    Spectral response range I nm 1000-2600
    Peak sensitivity wavelength Ip nm 1880
    Peak responsivity Rp A/W 0.66
    Dark current without bias ID nA 95
    Junction capacitance CJ pF 41
    Shunt resistance Rsh Ω 17

    a25e0bcf-ae10-4ab2-9935-fda640ca5467

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