1-2.6μm光电二极管

Nanoplus InGaAsSb 光电二极管

Nanoplus InGaAsSb 光电二极管 Nanoplus 最新推出的InGaAsSb(锑砷化铟镓)光电二极管,以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料,相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内,峰值波长为1880nm,采用TO5封装,有效面积为Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm,具有响应速度快、灵敏度高等特点,非常适合用于高灵敏度气体分析、过程控制和环境监测等领域。 主要特点 应用服务 技术参数 -选项四- -选项五- 主要特点: 波长范围1000nm-2600nm Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm有...